细粉加工设备(20-400目)
我公司自主研发的MTW欧版磨、LM立式磨等细粉加工设备，拥有多项国家专利，能够将石灰石、方解石、碳酸钙、重晶石、石膏、膨润土等物料研磨至20-400目，是您在电厂脱硫、煤粉制备、重钙加工等工业制粉领域的得力助手。
超细粉加工设备(400-3250目)
LUM超细立磨、MW环辊微粉磨吸收现代工业磨粉技术，专注于400-3250目范围内超细粉磨加工，细度可调可控，突破超细粉加工产能瓶颈，是超细粉加工领域粉磨装备的良好选择。
粗粉加工设备(0-3MM)
兼具磨粉机和破碎机性能优势，产量高、破碎比大、成品率高，在粗粉加工方面成绩斐然。
炭化硅
碳化硅百度百科
碳化硅，是一種無機物，化學式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高温冶煉而成。 碳化硅是一種半導體，在自然界 2023年6月22日 碳化硅，也称为 SiC，是一种半导体基础材料，由纯硅和纯碳组成。 您可以在 SiC 中掺入氮或磷来形成 n 型半导体，或者掺入铍、硼、铝或镓来形成 p 型半导体。什么是碳化硅 (SiC)？用途和制作方法 Arrow
碳化硅化工百科 ChemBK
2024年1月2日 碳化硅分为黑色碳化硅和绿色碳化硅两种，溶于熔融的碱类和铁水，不溶于水、乙醇和酸。有刺激性。显微硬度为2840～3320kg/mm2。有极好的导热性。2700℃ 2023年7月14日 据《2022碳化硅（SiC）产业调研白皮书》，除了碳化硅外延、离子注入、高温氧化/激活等碳化硅专用装备外，华卓精科等国内企业在激光退火、激光划片、PVD 碳化硅“狂飙”：追赶、内卷、替代Focus腾讯新闻
什么是碳化硅 (SiC)？用途和制作方法 Arrow
2023年6月22日 因此，基于碳化硅的逆变器设计的尺寸和重量几乎是基于硅的逆变器的一半。促使太阳能制造商和工程师使用 SiC 而不是氮化镓等其他材料的另一个因素是，碳化硅坚固的耐用性和可靠性。碳化硅的可靠性使太阳能系统能够获得持续运行十多年所需的稳定寿命。2019年6月12日 碳化硅材料主要包括碳化硅衬底片(Substrate)和外延片(EpitaxyWafer)。 目前碳化硅衬底片和外延片基本掌握在美国和日本几家主要厂商手里，而目前碳化硅功率器件的芯片成本很大程度上取决于碳化硅材料的成本，在5年内迫切期望国产碳化硅材料在品质上取 一文读懂碳化硅半导体材料的发展历程AET电子技术应用
碳化硅与氮化硅：两种材料的特性与应用差异 百家号
2023年12月15日 2 强度：碳化硅和氮化硅都具有很高的强度，但碳化硅的抗压强度和抗弯强度略高于氮化硅。 3 热稳定性：氮化硅的热稳定性优于碳化硅。 氮化硅在高温下不易氧化，抗热震性能好，适用于高温环境。 4 导电性：碳化硅是一种半导体材料，具有良好的导 2024年1月2日 碳化硅在电子行业中应用广泛，如制造高功率半导体器件、集成电路和光电子元件等。 3 它也被用作陶瓷工艺中的辅助材料，例如制作陶瓷模具和陶瓷喷嘴。 制法： 1 碳化硅的制备通常通过化学气相沉积法、碳热还原法和熔融法等进行。 2碳化硅化工百科 ChemBK
纳米碳化硅的制备与应用研究进展
2023年9月20日 摘 要 纳米碳化硅(SiC)材料因具有耐磨、耐腐蚀、强度高、高热导等优良的物理与化学性质而备受关注,其作为多功能材料可广泛用于国防、航空、汽车工业、化工、机械工业、电子工业和生物陶瓷等领域。 本文在国内外相关文献的基础上,重点介绍了纳米SiC 2021年10月21日 碳化硅材料由于其较高的弹性模量、适中的密度、较小的热膨胀系数、较高的导热系数、耐热冲击性、高的比刚度、高度的尺寸稳定性及热性能与机械性能的各向同性等一系列优良的物理性质，受到越来 碳化硅理化性能及应用速览 ChemicalBook
碳化硅功率器件技术综述与展望 CSEE
2020年3月16日 关键词：碳化硅；功率器件；二极管；结型场效应晶体管；金氧半场效晶体管；绝缘栅双极型晶体管；门极可断晶闸管 器件的研发也逐步从科研机构向企业转移。0 引言 功率器件是电力电子技术的核心，在电力电子2023年7月7日 碳化硅（SiC）是由硅（Si）和碳（C）组成的化合物半导体材料。 其结合力非常强，在热、化学、机械方面都非常稳定。 SiC存在各种多型体（多晶型体），它们的物理特性值各有不同。 4HSiC最适用于功率元器件。 碳化硅作为第三代半导体材料的典型代 第三代半导体材料：碳化硅（SiC） 百家号
碳化硅MOSFET概述、特性及应用 模拟技术 电子发烧友网
2023年2月12日 碳化硅MOSFET概述、特性及应用 在SiC MOSFET的开发与应用方面，与相同功率等级的Si MOSFET相比，SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低，适用于更高的工作频率，另由于其高温工作特性，大大提高了高温稳定性。2022年5月10日 碳化硅是目前发展最成熟的第三代半导体材料。 图片来源：Pexels 1 碳化硅晶体结构 碳化硅（SiC）由碳（C）原子和硅（Si）原子组成，密度是32g/cm 3 ，天然碳化硅非常罕见，主要通过人工合成。 第三代半导体材料——碳化硅百科资讯中国粉体网
硅碳化物（SiC）：探索其引人注目的特性与应用领域
2019年9月25日 碳化硅的发现可以追溯到1891年，当时美国的艾奇逊在进行电溶金刚石实验时偶然发现了一种碳化合物，这就是碳化硅首次被合成和发现。经过了百年的不断探索，特别是进入21世纪以后，人类终于理解 2024年2月5日 目前已发现的碳化硅类型有200多种，其中商业化应用最为广泛的碳化硅晶型之一是六方碳化硅。 然而，高质量碳化硅单晶生长极其困难，不仅要满足2300摄氏度以上的高温制备条件，其在生长过程中还喜欢“七十二变”，极不稳定，因此，只有少数国家掌握了碳化硅晶体生长技术细节。【中国科学报】20余年坚守创新 他为国产碳化硅“开路”中国
碳化硅（SiC）产业研究报告
2020年7月29日 以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN ）为代表的第三代半导体材料，具备禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速率高、抗 c©˛‡ € 2‰'š˝D ˙0AJ ÝP6Š 6 辐射能力强等明显优于硅（Si）、锗（Ge）、砷化镓（GaAs）等代 2023年12月15日 碳化硅 和氮化硅都是陶瓷工艺中重要的材料，它们在化学成分、物理性质和应用领域上都有一定的差异。了解这些差异，有助于我们更好地选择和应用这两种材料。钧杰陶瓷在这些方面不断进取，致力于更好的发挥碳化硅和氮化硅在实际应用中的 碳化硅与氮化硅：两种材料的特性与应用差异陶瓷高温高硬度
对于三种碳化硅制备方法的浅析 联盟动态 中关村天合宽禁带
2020年11月17日 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 京ICP备号 目前碳化硅单晶的制备方法主要有：物理气相传输法（PVT）；顶部籽晶溶液生长法（TSSG）；高温化学气相沉积法（HTCVD）。 其中TSSG法生长晶体尺寸较小目前仅用于实验室生长，商业化的技术路线主要是PVT 2023年8月12日 碳化硅（SiC）是一种由硅（Si）和碳（C）组成的半导体化合物，属于宽带隙（WBG）材料家族。 它的物理键非常牢固，使半导体具有很高的机械、化学和热稳定性。宽带隙和高热稳定性使SiC器件能够在高于硅的结温下使用，甚至超过200°C。碳化硅的主要特性是什么？为什么碳化硅在高频下的性能
什么是碳化硅 (SiC)？用途和制作方法 Arrow
2023年6月22日 因此，基于碳化硅的逆变器设计的尺寸和重量几乎是基于硅的逆变器的一半。促使太阳能制造商和工程师使用 SiC 而不是氮化镓等其他材料的另一个因素是，碳化硅坚固的耐用性和可靠性。碳化硅的可靠性使太阳能系统能够获得持续运行十多年所需的稳定寿命。2019年6月12日 碳化硅材料主要包括碳化硅衬底片(Substrate)和外延片(EpitaxyWafer)。 目前碳化硅衬底片和外延片基本掌握在美国和日本几家主要厂商手里，而目前碳化硅功率器件的芯片成本很大程度上取决于碳化硅材料的成本，在5年内迫切期望国产碳化硅材料在品质上取 一文读懂碳化硅半导体材料的发展历程AET电子技术应用
碳化硅与氮化硅：两种材料的特性与应用差异 百家号
2023年12月15日 2 强度：碳化硅和氮化硅都具有很高的强度，但碳化硅的抗压强度和抗弯强度略高于氮化硅。 3 热稳定性：氮化硅的热稳定性优于碳化硅。 氮化硅在高温下不易氧化，抗热震性能好，适用于高温环境。 4 导电性：碳化硅是一种半导体材料，具有良好的导 2024年1月2日 碳化硅在电子行业中应用广泛，如制造高功率半导体器件、集成电路和光电子元件等。 3 它也被用作陶瓷工艺中的辅助材料，例如制作陶瓷模具和陶瓷喷嘴。 制法： 1 碳化硅的制备通常通过化学气相沉积法、碳热还原法和熔融法等进行。 2碳化硅化工百科 ChemBK
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